Voici ce que je sais des BJT NPN (Transistors de jonction bipolaires): Le courant de base-émetteur est multiplié par le temps HFE au niveau du collecteur-émetteur, de sorte que Ice = Ibe * HFE Vbeest la tension entre la base-émetteur et, comme toute diode, se situe généralement autour de 0,65V....