Pourquoi JFET est appelé dispositif commandé en tension alors que BJT est appelé dispositif commandé en courant?

Ma question est pourquoi JFET / FET est appelé dispositif à tension contrôlée tandis que BJT est appelé courant contrôlé comme tension requise pour fonctionner correctement.Dans les deux champs électriques sont produits, alors pourquoi la différence? Maintenant, la question est que le courant est également généré en raison de la tension et que le BJT est toujours contrôlé en courant et en tension FET.

Des idées?

La déclaration est fausse. Les deux appareils sont commandés en tension. Le modèle précis d'un transistor bipolaire est l' équation d' Ebers-Moll .

Notez comment la variable indépendante dans l'équation d'Ebers-Moll est: . Pas de courant de base!$V_{BE}$

Un BJT est un dispositif de transconductance, tout comme un JFET.

L'idée qu'un BJT amplifie le courant est une caractéristique du modèle approximatif qui peut être utilisé pour concevoir la majorité des circuits BJT simples.

Une simplification / idéalisation particulière du BJT est un dispositif actuel, pas le vrai BJT. Cela ne fonctionne pas de cette façon. Il n'y a tout simplement pas un petit démon dans la base qui compte les électrons se déplaçant à travers la base et distribue fois autant d'électrons dans le collecteur.$\beta$

Étant donné que la tension base-émetteur d'un BJT dans sa région de fonctionnement sera affectée par le courant base-émetteur, et vice versa, les modifications de la tension base-émetteur d'un transistor donné affecteront le courant collecteur-émetteur. D'un autre côté, la quantité de changement de tension base-émetteur nécessaire pour affecter un changement de courant collecteur-émetteur donné est souvent énorme et imprévisible; il variera énormément avec la température, le vieillissement, la phase de la lune, etc. En revanche, dans la région de fonctionnement "linéaire" d'un transistor, le doublement du courant de base-émetteur doublera grossièrement le courant de collecteur-émetteur. Pas absolument-précisément le doubler, mais assez proche. Un tel comportement est beaucoup plus prévisible que la relation entre la tension base-émetteur et le courant base-collecteur.

Un FET ou MOSFET en revanche n'a pas de courant de grille, sauf pour les courants résultant d'une fuite ou d'une capacité parasite. Ces courants ne sont pas exactement nuls, mais les fabricants essaient généralement de les minimiser. En tant que tel, il n'est pas vraiment possible de caractériser la réponse du transistor à différents niveaux de courant de grille. La relation entre la tension grille-source et le courant drain-source n'est pas aussi prévisible que la relation entre le courant base-émetteur et le courant collecteur-émetteur dans un BJT, mais c'est toujours la manière la plus prévisible de caractériser le fonctionnement de l'appareil (c'est beaucoup plus prévisible et cohérent que la relation comparable sur un BJT).

Dans les BJT, le courant de l'émetteur est proportionnel au courant de base (c'est la hFEvaleur du BJT), tandis que dans les FET, le courant source / drain est proportionnel à la tension de grille . En pratique, cela signifie que si vous avez une source de tension qui peut générer très peu de courant (comme votre doigt, après avoir traîné vos pieds à travers une pièce recouverte de moquette pour accumuler de l'électricité statique), vous pouvez utiliser ce signal pour contrôler le FET, mais pas un BJT.

En termes très simples et sans mathématiques:

FET en général, le courant source-drain est contrôlé avec très peu de courant provenant de la grille.

Les BJT nécessitent plus de courant, en raison de son fonctionnement, le courant collecteur-émetteur est proportionnel au courant de la base.

Les deux utilisent la tension et le courant, mais l'impédance des transistors à effet de champ sont si élevés et le courant qu'ils doivent contrôler est si faible que vous n'avez besoin que d'une tension sur la grille pour effectuer le contrôle. C'est pourquoi les FET sont considérés comme des dispositifs à tension contrôlée.