Résistances de retrait inutiles sur les transistors BJT et FET?

Je vois souvent de faibles résistances à la baisse à la base des transistors NPN. De nombreux sites électroniques recommandent même de faire de telles choses, en spécifiant généralement la valeur comme quelque chose comme 10x la résistance de limitation de courant de base.

Les transistors bipolaires sont pilotés par le courant, donc si la base reste flottante, je ne vois pas la nécessité de la tirer à la masse.

En outre, je vois souvent des résistances de limitation de courant de grille sur les transistors à effet de champ.

Ils sont alimentés en tension et il n'est pas nécessaire de limiter le courant alimentant le portail.

Ces deux situations sont-elles des exemples de personnes confondant les règles entre les transistors (qui ont besoin de résistances de limitation de base) et les transistors à effet de champ (qui ont besoin de résistances abaissées) ou combinant les règles ou quelque chose ...

ou est-ce que je manque quelque chose ici?

Les raisons deviennent claires lorsque l'on considère non seulement le comportement idéal des transistors mais aussi leurs éléments parasites.

La résistance de rappel vers le bas à la base d'un BJT de type npn aide à maintenir la base "basse" chaque fois que l'élément d'entraînement de la résistance de base doit être non connecté ou dans un mode à trois états. Sans cette résistance, la charge entrant dans la base via la capacité entre le collecteur et la base ("capacité Miller") pourrait y rester et activer le transistor.

Il existe deux raisons courantes pour une résistance de grille série dans un circuit MOSFET. La première est que la résistance limite le courant d'attaque et permet un certain contrôle du courant de charge de la porte (pensez à la porte comme un condensateur qui doit être déchargé / chargé afin d'activer ou de désactiver le MOSFET). Avec une résistance soigneusement choisie, vous pouvez obtenir un certain contrôle sur les temps de transition d'activation ou de désactivation du MOSFET. Parfois, vous utilisez même une résistance mise en parallèle par une diode et une autre résistance pour avoir des courants de charge et de décharge différents, c'est-à-dire une chance d'influencer le temps de mise en marche d'une manière différente du temps de mise hors tension. La deuxième raison pour une résistance de base est que les inductances de trace autour du MOSFET forment un réservoir LC résonnant avec les capacités parasites du MOSFET. Lorsque tout ce que vous voulez est une transition propre de la tension de grille (forme d'onde rectangulaire), vous pouvez obtenir beaucoup de sonneries en réalité. La sonnerie peut être si grave que le MOSFET s'allume et s'éteint plusieurs fois avant de se régler et obéit finalement à ce que le conducteur demande. Une résistance à l'intérieur du circuit résonnant LC autour du pilote de porte est capable d'amortir cette résonance et le chemin entre le pilote et la porte est l'endroit le plus facile pour mettre la résistance. Pour les circuits à petit signal, ces résistances peuvent ne pas être nécessaires, mais lorsque vous pilotez des MOSFET de puissance, vous en avez absolument besoin. Une résistance à l'intérieur du circuit résonnant LC autour du pilote de porte est capable d'amortir cette résonance et le chemin entre le pilote et la porte est l'endroit le plus facile pour mettre la résistance. Pour les circuits à petit signal, ces résistances peuvent ne pas être nécessaires, mais lorsque vous pilotez des MOSFET de puissance, vous en avez absolument besoin. Une résistance à l'intérieur du circuit résonnant LC autour du pilote de porte est capable d'amortir cette résonance et le chemin entre le pilote et la porte est l'endroit le plus facile pour mettre la résistance. Pour les circuits à petit signal, ces résistances peuvent ne pas être nécessaires, mais lorsque vous pilotez des MOSFET de puissance, vous en avez absolument besoin.

Une résistance série dans la ligne de grille d'un MOSFET protégera le pilote (microcontrôleur) des effets de sonnerie provoqués par des inductances parasites.

La valeur optimale pour Rg dépend très de l'application. Vous voulez que le MOSFET commute aussi rapidement que possible pour minimiser les pertes de commutation, mais pas si vite que les inductances et capacités parasites associées à la configuration du circuit imprimé et à tout câblage vers une charge, provoqueront un pic ou une sonnerie de tension di / dt élevée. qu'une valeur optimisée des commandes Rg passe sur OK mais ralentit trop la mise hors tension, alors une solution consiste à placer une diode sur Rg avec sa cathode vers le circuit de commande de grille. Cela contournera Rg pendant l'arrêt, ce qui accélérera l'arrêt. Le placement d'une résistance en série avec la diode vous permettra de contrôler le temps de coupure indépendamment de la mise sous tension. Lectures complémentaires (pour tous les aspects de la commutation mosfet).

Pour la commutation de petites charges (comme 100mA), ou lorsqu'une véritable puce de pilote MOSFET est utilisée, la résistance de grille n'est probablement pas nécessaire.

(Remarque: ces liens se trouvaient sur la première page de résultats G pour "résistance de porte mosfet")

La résistance série à la porte MOSFET est parfois nécessaire pour réduire un pic de courant lors de la commutation en raison de la capacité de la porte. Circuit logique, esp. les microcontrôleurs ne permettent qu'une charge capacitive très faible. Il peut également être utilisé pour réduire la vitesse de balayage (la vitesse de commutation).
Un menu déroulant sur la porte est utilisé pour empêcher la porte de flotter si les E / S de contrôle sont configurées en entrée. Dans ce cas, la valeur de la résistance peut être choisie assez grande (1 ~ 10M$\Omega$).

La résistance de base du BJT est souvent associée à un pull-up, et cette combinaison est utilisée pour définir un point de repos stable . [ notre professeur au collège, pas très bon en anglais et apparemment seulement avoir vu le mot imprimé l'a prononcé comme "keskent". Il nous a fallu un certain temps pour comprendre ce qu'il voulait dire :-) ]

La plupart des transistors ont une petite quantité de fuite à base de collecteur; s'il n'y a pas de pull-down, ce courant sera amplifié par le gain du transistor. Dans les situations où la fuite n'est pas un problème, la résistance peut être omise, mais si le courant de fuite est un problème, l'ajout de la résistance peut le réduire.