Quelle est la différence entre les transistors NPN et PNP?

Supposons que je sache comment fonctionne un transistor NPN .

Quelle est la différence entre un transistor PNP? Quelles sont les différences opérationnelles entre un PNP et un NPN?

transistors bjt pnp Denilson Sá Maia
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@Federico - Qu'est-ce qui vous fait croire que Denilson veut connaître les différences physiques? Puisqu'il a accepté la réponse telle quelle et liée à l'autre question sur les caractéristiques opérationnelles, j'arrive à la même conclusion que Kortuk : Vous avez changé le sens de la question. Les modifications ne doivent pas être utilisées pour détourner les discussions, mais plutôt pour clarifier la signification de la publication sans la changer .

Kevin Vermeer

@Kevin Vermeer: C'est parfaitement conforme au titre, qui demande quelle est la différence. Denilson demande également dans la question quelles sont les différences opérationnelles, et la réponse acceptée ne parle que de la façon de se connecter. S'il y a d'autres différences, je pense qu'elles devraient être des réponses à cette question.

Federico Russo

@Kevin Vermeer: Je voulais également éviter qu'une nouvelle question ne soit fermée en double exact, car c'est ce qui se passera si je le demande.

Federico Russo

@Kevin - J'ai lu l'addition de Federico et je suis d'accord avec lui que cela ne change pas l'intention de la question. Les "différences de caractéristiques" (FR) font partie des "différences opérationnelles" (DS). Je pense que ce devrait être Denilson de décider d'un retour en arrière.

Steven

@stevenvh, cela ne correspond certainement pas à ce que l'affiche signifiait probablement en fonction de la réponse acceptée. Vous avez raison, nous devons opérer pour peser. Chaque commentaire mis ici le signale cependant.

Kortuk

Réponses:

Les transistors PNP fonctionnent de la même manière que les NPN, mais toutes les tensions et tous les courants sont inversés. Vous connectez l'émetteur au potentiel plus élevé, le courant source de la base et le courant principal circule dans l'émetteur, puis sort par le collecteur.

$V_\rm{BE}$ sera de mais sa magnitude devrait être la même dans PNP et NPN si vous utilisez des pièces complémentaires. $-0.7\,\rm{V}$

jpc
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Ce que vous semblez décrire dans le premier paragraphe est un transistor PNP, que vous n'avez pas dit. Cela ne répond pas non plus à la question car il s'agissait davantage de la physique de l'appareil. Vous n'avez jamais expliqué les transporteurs majoritaires, les trous, etc.

Olin Lathrop

@OlinLathrop, vous pouvez modifier pour améliorer la question, mais en fonction de la réponse acceptée, l'OP s'intéresse principalement aux différences opérationnelles.

Kortuk

@OlinLathrop, j'ai essayé d'améliorer la lisibilité de ma réponse. Comme l'a dit Kortuk, je ne crois pas du tout que l'OP s'intéresse à la physique.

jpc

Je vois que la question a changé entre-temps, ou peut-être qu'elle a été fusionnée. La question initiale que j'ai vue portait sur la physique et mentionnait spécifiquement les porteurs et trous majoritaires.

Olin Lathrop

@Olin J'ai vérifié l'historique des modifications et il semble que la question élargie que vous avez vue soit due à un ajout de quelqu'un sans rapport avec l'OP.

jpc

Les transistors NPN et PNP sont différents. Les électrons sont plus mobiles que les trous, ce qui signifie que le PNP n'est pas aussi bon que le NPN. Pour les Si BJT, les types PNP sont en retard en termes de tension de claquage et de puissance très élevée. Pour les appareils à usage général comme BC337 / BC327, les choses pour toutes les intentions et tous les buts sont les mêmes, mais si vous vouliez faire un SMPS hors ligne, ce ne serait pas facile ou pratique à 1KW. Pour le germanium, le NPN est censé être meilleur, mais ce n'est pas le cas. Cela est dû à des problèmes de fabrication. L'AC127 n'est pas aussi bon que l'AC128 et l'AD161 n'est pas aussi bon que l'AD162 et oui, ces appareils ont été vendus en paires assorties. Le rapport de la mobilité des électrons au trou est un facteur déterminant dans la proximité du PNP avec le NPN. C'est bien pire pour SiC, donc on pourrait s'attendre à des BJT PNP lousey, donc ils ne prendront probablement pas la peine de les fabriquer. Pour une raison quelconque, les PNP ont un bruit plus faible, ils sont donc privilégiés dans les étages d'entrée à paires diff. L'abondance de puces de pilote Highside est la preuve que le PNP n'est pas aussi bon que le NPN.

Autistique
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+1 pour mettre en évidence les différences de mobilité entre électrons et trous. Un trou n'est pas un "équivalent positif" d'un électron libre. Pour les gens perplexes par ce commentaire, veuillez voir plus ici electronics.stackexchange.com/questions/199347/…

akhmed

La seule différence réside dans la fonctionnalité des transistors. Dans la configuration d'émetteur mis à la terre (commun), lorsqu'un courant de base est fourni (ou pour être plus pratique lorsque la base est connectée à une alimentation 5 V) d'un transistor PNP, aucune conduction n'a lieu car les porteurs majoritaires dans la région n sont des électrons dont le mouvement est supprimé et aucun chemin n'est formé d'émetteur et de collecteur n / b. Ainsi, aucun o / p n'est obtenu à la jonction d'émetteur. Si le courant de base est retiré du transistor, un chemin virtuel est formé n / b l'émetteur et le collecteur qui offre une certaine résistance au flux d'électrons qui est ensuite modifiée par le courant de base (ou la tension). Si dans un tel cas, le Vcc est directement connecté au collecteur et l'émetteur est mis à la terre via une résistance (peut-être 10k), alors Vcc obtient un chemin direct pour apparaître à la jonction de l'émetteur. Ainsi, si o / p est pris à l'émetteur en cas de PNP, la configuration est celle d'un inverseur tandis qu'au collecteur le transistor fonctionne comme un simple interrupteur ou tampon (c'est exactement le contraire de la configuration NPN). logiciel de simulation, je suis incapable de présenter une vue picturale. Mais j'espère que cela servira le but.

nvade
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