Open Drain vs Open Collector

Existe-t-il une différence pratique entre les sorties Open Drain et Open Collector ou les termes sont-ils interchangeables? S'ils sont en effet différents, quels sont les contextes où chacun est avantageux? Mon intuition est qu'elles sont fonctionnellement équivalentes, mais Open Drain est implémenté avec la technologie FET tandis que Open Collector est implémenté avec la technologie BJT.

C'est vrai, le collecteur ouvert est BJT, MOS à drain ouvert (C). Dans les circuits logiques où les courants sont faibles, la tension de saturation du BJT peut être un peu plus élevée que la chute de tension due à pour le FET, mais elle sera toujours bien inférieure à la tension maximale pour une logique basse .$R_{DS(ON)}$

Exception: vous ne pouvez pas utiliser une sortie à collecteur ouvert TTL comme décalage de niveau pour interfacer avec le CMOS à très basse tension. Cet onduleur peut fonctionner sur un Vcc aussi bas que 0,8 V, et la fiche technique donne un niveau bas maximum de 0,25 Vcc, soit 0,2 V. Un collecteur ouvert aura une chute de tension supérieure à cela. ( Cet appareil spécifie même une tension d'entrée de bas niveau maximale de 0 V, ce qui est tout simplement impossible.)

note
Outre le câblage câblé (pensez I2C), le drain / collecteur ouvert est souvent utilisé pour contrôler quelque chose fonctionnant à une tension différente de la logique, souvent une tension plus élevée. Avec certaines familles logiques basse tension, cela n'est plus possible, car les transistors FET ne toléreront pas la haute tension et pour cette raison, certaines familles auront des diodes de serrage intégrées pour protéger les transistors FET de sortie.