Quelle est la différence entre piloter une porte MOSFET et une porte IGBT?

Puis-je utiliser un pilote de porte IGBT approprié pour piloter le MOSFET, et vice versa? Quels paramètres (seuil, plateau et tension nominale de mise sous tension, capacité de la grille, etc.) doivent être les mêmes pour cette compatibilité? Quelles sont les différences essentielles entre la conduite de ces deux types de portails?

Parfois...

En supposant que le point d'intérêt est les MOSFETS de puissance et non les MOSFETS de petit signal et le silicium (contrairement à SiC, GaN)

La première caractéristique à vérifier est la tension de sortie. Pour les dispositifs d'alimentation, ils doivent être de 0 V à 12-15 V (acpl-312T) pour répondre aux seuils de porte autour de 4 V (ainsi que pouvoir conduire à -15 V si la mise sous tension du meunier est un problème). En tant que tel pilote MOSFET conduisant un IGBT et également un pilote IGBT conduisant un MOSFET devrait être bien.

La caractéristique suivante est le courant de crête. Les IGBT auront une capacité de grille significativement plus grande et, à ce titre, nécessiteront des courants de crête plus élevés pour garantir que l'appareil sature le plus rapidement possible. L'inverse est que les MOSFET peuvent être commutés plus rapidement et en tant que tels, la demande de courant efficace pour piloter un MOSFET peut être plus élevée.

Un courant plus élevé ou une fréquence de commutation plus élevée affecte la capacité d'alimentation du pilote.

pilote de porte IGBT approprié

Et la clé de votre question est "convenable".

La réponse courte est oui, vous le pouvez.

L'IGBT combine un FET à grille isolée pour l'entrée de commande et un transistor de puissance bipolaire comme interrupteur dans un seul appareil (wikipedia).

Votre question contient déjà les considérations appropriées, "seuil, plateau, et activer les cotes de tension, capacité de la porte, etc."

Sachez que certains pilotes IGBT incluent également une tension de coupure négative (pour une commutation plus rapide)

Ce qui suit, extrait de International Rectifier

En soi, ni le MOSFET ni l'IGBT ne nécessitent de biais négatif sur la grille. La mise à zéro de la tension de grille à la mise hors tension assure un bon fonctionnement et fournit pratiquement une polarisation négative par rapport à la tension de seuil de l'appareil. La polarisation de grille négative n'affecte pas de manière significative la vitesse de commutation contrairement au transistor bipolaire. Cependant, dans certains cas, un entraînement de grille négatif est nécessaire:

• Le fabricant de semi-conducteurs spécifie une polarisation de grille négative pour le dispositif
• Lorsque la tension de grille ne peut pas être maintenue en sécurité en dessous de la tension de seuil en raison du bruit généré dans le circuit. Bien qu'il soit fait référence aux IGBT, les informations contenues s'appliquent également aux MOSFET de puissance.